Structural and Electrical Properties of "Cadmium Sulfide- Cobalt" Compound and Using it as a Gas Sensor

نویسندگان

چکیده

Background: Both the cubic (zinc blend) and hexagonal (wurtzite) phases of cadmium sulphide are semiconductors due to presence a row four equally spaced Cd atoms surrounded by one S atom. crystal forms Cd-S have very similar nearest neighbor bond lengths. Material Methods: The sulfide compound was prepared at concentration 1 M dissolving percentage weight each cadmium(13.326g) sulfur (3.806g) in 100 ml distilled water. Cobalt 0.5M acetate (14.55g) Films CdS CdS:Co were using chemical method, which is thermal spraying technique, deposited solution mixture cobalt with on glass floor.
 Results: thickness films mm. surfaces studied measuring transmission electron microscopy. results showed that homogeneous crystalline granules spherical shape, addition led an increase particle size values. electrical properties represented voltaic- current studied, relationship between linear, this indicates behave as ohmic.
 Conclusion: continuous conductivity also calculated, gas sensitivity towards hydrogen had good sensitivity, adding decrease

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Investigations on structural and electrical properties of Cadmium Zinc Sulfide thin films

Nowadays, II – IV group semiconductor thin films have attracted considerable attention from the research community because of their wide range of application in the fabrication of solar cells and other opto-electronic devices. Cadmium zinc sulfide (Zn-CdS) thin films were grown by chemical bath deposition (CBD) technique. X-ray diffraction (XRD) is used to analyze the structure and crystallite ...

متن کامل

Investigations on structural and electrical properties of Cadmium Zinc Sulfide thin films

Nowadays, II – IV group semiconductor thin films have attracted considerable attention from the research community because of their wide range of application in the fabrication of solar cells and other opto-electronic devices. Cadmium zinc sulfide (Zn-CdS) thin films were grown by chemical bath deposition (CBD) technique. X-ray diffraction (XRD) is used to analyze the structure and crystallite ...

متن کامل

hazard evaluation of gas condensate stabilization and dehydration unit of parsian gas refinery using hazop procedures

شناسایی مخاطرات در واحد 400 پالایشگاه گاز پارسیان. در این پروزه با بکارگیری از تکنیک hazop به شناسا یی مخاطرات ، انحرافات ممکن و در صورت لزوم ارایه راهکارهای مناسب جهت افزایش ایمنی فرا یند پرداخته میگردد. شرایط عملیاتی مخاطره آمیز نظیر فشار و دمای بالا و وجود ترکیبات مختلف سمی و قابل انفجار در واحدهای پالایش گاز، ضرورت توجه به موارد ایمنی در این چنین واحدهایی را مشخص می سازد. مطالعه hazop یک ر...

investigations on structural and electrical properties of cadmium zinc sulfide thin films

nowadays, ii – iv group semiconductor thin films have attracted considerable attention from the research community because of their wide range of application in the fabrication of solar cells and other opto-electronic devices. cadmium zinc sulfide (zn-cds) thin films were grown by chemical bath deposition (cbd) technique. x-ray diffraction (xrd) is used to analyze the structure and crystallite ...

متن کامل

the innovation of a statistical model to estimate dependable rainfall (dr) and develop it for determination and classification of drought and wet years of iran

آب حاصل از بارش منبع تأمین نیازهای بی شمار جانداران به ویژه انسان است و هرگونه کاهش در کم و کیف آن مستقیماً حیات موجودات زنده را تحت تأثیر منفی قرار می دهد. نوسان سال به سال بارش از ویژگی های اساسی و بسیار مهم بارش های سالانه ایران محسوب می شود که آثار زیان بار آن در تمام عرصه های اقتصادی، اجتماعی و حتی سیاسی- امنیتی به نحوی منعکس می شود. چون میزان آب ناشی از بارش یکی از مولفه های اصلی برنامه ...

15 صفحه اول

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of University of Babylon

سال: 2023

ISSN: ['2312-8135', '1992-0652']

DOI: https://doi.org/10.29196/jubpas.v31i2.4660